Samsung DDR2 DRAM classe 60nm




La Samsung Electronics ha annunciato di essere in grado di produrre in massa la prima memoria DDR2 DRAM (dynamic random access memory) da 1GB con minimizzazione pari a 60nm.
Grazie a questa nuova tecnologia si avrà un miglioramento notevole delle prestazioni stimabile attorno al 40%, rispetto ai modelli ancora in fabbricazione dal 2006 da 80nm.
Si prevede che questa innovazione sostituirà la vecchia tecnologia nel corso del 2008 con un introito di oltre due milioni di dollari, per arrivare ai 32 milioni di dollari nel 2009.
Inoltre, è da segnalare che l'Intel sta mettendo in cantiere i primi chip con circuiteria a 45 nm previsti già per la fine del 2007.

[via fareastgizmos | melablog]

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