Samsung crea le RRAM riscrivibili 1 milione di volte in più rispetto alle flash

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Samsung annuncia di aver raggiunto un importante risultato per quanto riguarda la tecnologia resistive random access memory (RRAM): scienziati ed ingegneri hanno ottenuto maggiore durata. I prototipi di RRAM sui quali hanno lavorato sono in grado di passare dalla scrittura alla cancellazione fino ad un trilione di volte, ovvero circa un milione di volte in più rispetto a quanto possano fare le memorie flash standard.

Per ottenere questo risultato, le RRAM Samsung sfruttano strutture a base di tantalio al posto di quelle tradizionali in silicio. Il tantalio è un metallo di transizione duttile, ma duro molto resistente alla corrosione (soprattutto all'attacco degli acidi), oltre ad essere un buon conduttore di calore ed elettricità. Oltre a significare un grosso passo avanti nel ciclo di riscrittura, le nuove RRAM hanno chip che soddisfano altri requisiti importanti: basso consumo energetico, alta densità ed alte velocità di switching. Non sappiamo ancora, però, se la tecnologia verrà prodotta in massa.

[Via SamsungTomorrow]

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