
Samsung investe ingenti capitali per la ricerca nel campo delle memorie. L’ultimo risultato dei suoi centri di sviluppo è la nuova memoria RAM di classe DDR4 costruita grazie alla tecnologia a 30 nanometri. Per l’esattezza il modello mostrato alla stampa è stato un banco da 4 GB.
A differenza della memoria DDR3, la DDR4 arriva a una velocità di scambio dati a 2,13 Gbps contro gli 1,6 Gbps raggiunti dalla generazione precedente. La velocità massima raggiungibile, però, è di 3,2 Gbps, quindi il doppio della velocità attuale.
Oltre ad incrementare le prestazioni, le memorie DDR4 consumano anche il 40% di energia in meno, permettendo un aumento dell’autonomia delle batterie dei portatili. I banchi di memoria DDR4 saranno disponibili dalla seconda metà del 2011.
[via samsung]

Soluzione ideale se siamo in possesso delle nuove schede madri con chipset Intel P55 e H55 le nuove memorie DDR3-1600G 8GB dual channel della linea XPG Gaming Series sono state sviluppate per ottenere veramente il massimo dal nostro pc progettato per il gaming.
I nuovi kit dual channel DDR3-1600G 8GB XPG Gaming Series di A-Dataoffrono specifiche di alto livello con timing CL9-9-9-24 e voltaggio di1.65V in grado di spingere al massimo i videogiochi di ultima generazione che come si sa, sono sempre più esosi in termini di risorse di sistema.
Le DDR3-1600G 8GB sono completamente retrocompatibili con configurazioni DDR3-1333 e DDR3-1066, sottoposti a rigorosi test di qualità e possiedono un voltaggio che va da 1.55 a 1.75V.

Dalla Super Talent Technology arriva la nuova linea di RAM DDR3 rispettivamente da 1333MHz e 1066MHz, con capacità di 1 e 2GB.
Questi moduli sono stati progettati espressamente per le nuove piattaforme IntelP35 e sono letteralmente ricoperte da un dissipatore in alluminio, per migliorarne ulteriormente le prestazioni.
Appena una settimana fa ho aggiunto un banco da di RAM DDR2 667MHz 2GB al mio Mac e già gli effetti benefici sulla velocità si notano facilmente, figuriamoci con un dispositivo a frequenza doppia..
[via fareastgizmos]