La Samsung Electronics Co., azienda leader nella progettazione e produzione di semiconduttori, ha annunciato oggi di aver realizzato il primo banco di memoria DRAM da 4GB DIMM (dual in-line memory module) con la tecnica innovativa TSV (through silicon via).
Il TSV, basato sulla tecnologia WSP (wafer-level-processed stacked package) consente di passare da configurazioni di chip 2-D orizzontali al 3-D chip stacking, ovvero dai chip collocati fianco a fianco su un wafer di silicio si passa a una configurazione in cui gli integrati sono impilati uno sull’altro ottenendo quello che viene comunemente chiamato “sandwich”.
Così facendo si riducono drasticamente le dimensioni della componentistica elettronica, a cui corrisponde un aumento della velocità del flusso dei dati e una diminuzione del 20% circa dei consumi energetici.
I primi esemplari sono attesi nel mercato mondiale agli inizi del nuovo anno.
[via crunchgear]
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Da Samsung un banco da 4GB di DRAM « Re Ric
24 apr 2007 - 13:08 - #1[…] Fonte: gadgetblog […]
Da Samsung un banco da 4GB di DRAM | Ilgenio.com
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John33
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