Samsung annuncia di aver raggiunto un importante risultato per quanto riguarda la tecnologia resistive random access memory (RRAM): scienziati ed ingegneri hanno ottenuto maggiore durata. I prototipi di RRAM sui quali hanno lavorato sono in grado di passare dalla scrittura alla cancellazione fino ad un trilione di volte, ovvero circa un milione di volte in più rispetto a quanto possano fare le memorie flash standard.
Per ottenere questo risultato, le RRAM Samsung sfruttano strutture a base di tantalio al posto di quelle tradizionali in silicio. Il tantalio è un metallo di transizione duttile, ma duro molto resistente alla corrosione (soprattutto all’attacco degli acidi), oltre ad essere un buon conduttore di calore ed elettricità. Oltre a significare un grosso passo avanti nel ciclo di riscrittura, le nuove RRAM hanno chip che soddisfano altri requisiti importanti: basso consumo energetico, alta densità ed alte velocità di switching. Non sappiamo ancora, però, se la tecnologia verrà prodotta in massa.
[Via SamsungTomorrow]
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ice
13 lug 2011 - 12:47 - #1Flash = 1milione di volte
RRAM = 1milione di volte in piu di FLash = 2 milioni
invece è 1milione x 1milione = 10^12
purtroppo la lingua italiana in questi casi si presta ad una duplice interpretazione
Rava94
13 lug 2011 - 14:40 - #2La lingua italiana basta saperla usare:
Un milione di volte in più di x = x + 1 mln
Un milione di volte x = x • 1 mln…