Gli ingegneri IBM hanno annunciato un’interessante invenzione: un nuovo genere di PCM (phase change memory) in grado di leggere e scrivere dati 100 volte più velocemente delle memorie flash, rimane affidabile e funzionale per milioni di cicli di scrittura (contro le centinaia delle memorie flash) ed è abbastanza economica, tanto da poter essere usata in qualsiasi dispositivo enterprise (dai server agli smartphone).
La memoria PCM è creata con una speciale lega che permette diversi stati fisici, o fasi, spinti da piccole esplosioni controllate di energia elettrica. In passato questo tipo di tecnologia ha risentito di una tendenza allo stato di relax incrementando la resistenza elettrica nel tempo, comportando errori di lettura. Ogni cellula della lega può inoltre memorizzare solo un bit di dati.
IBM ha risolto entrambi i problemi: la nuova memoria può memorizzare quattro bit di dati per cella, con un possibile cambiamento di paradigma per quanto riguarda lo storage nei prossimi anni.
[Via Engadget]
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alecom
30 giu 2011 - 12:48 - #1refuso: per fortuna, le memorie flash supportano ben piu’ di “centinaia” di cicli di scrittura… :-)
Bruno94
30 giu 2011 - 13:09 - #2Speriamo che questa nuova memoria costi (abbondantemente) meno… E che abbia più capacità di storage
affar . info
30 giu 2011 - 14:48 - #3senza clamore IBM è stata ed è una delle maggiori produttrici di innovazioni e di brevetti
Perfetto
30 giu 2011 - 15:01 - #4“Ogni cellula della lega”, capisco sia stato scritto di fretta.
Se non sbaglio anche il Premier in una intervista parlava di cellule….